เทคโนโลยีหน่วยความจำ

DDR3 คืออะไร?
   
     DDR3 วิวัฒนาการใหม่ของเทคโนโลยีหน่วยความจำคู่ที่ผสมผสานเทคโนโลยีของ DDR และ DDR2 เข้าเอาไว้ด้วยกัน ทำให้มีประสิทธิภาพและความเร็วที่เพิ่มขึ้น ไม่สะสมความร้อนและใช้พลังงานต่ำ
สามารถใช้งาน DDR3 ร่วมกับ DDR2 ได้หรือไม่?
    ไม่สามารถทำได้ หน่วยความจำ DDR3 มี chip และ modules ที่แตกต่างกับ DDR2 เช่น DDR3 ใช้กระแสไฟฟ้า 1.5โวลต์ ซึ่งน้อยกว่า DDR2 ที่ใช้กระแสไฟฟ้า 1.8โวลต์
สามารถติดตั้งใช้งาน DDR3 ลงในช่องเสียบ DDR2 ได้หรือไม่?
    ไม่สามารถทำได้ DDR2 และ DDR3 จะมี module ที่แตกต่างกัน (Unbuffered, Registered, Small outline DIMMs) ซึ่งไม่สามารถติดตั้ง DDR3 ลงในช่องเสียบ DDR2 ได้
จะรู้ได้อย่างไรว่าช่องเสียบแบบไหนสำหรับ DDR2 หรือ DDR3?
    เป็นการยากที่จะแยกความแตกต่างระหว่าง motherboard ของ DDR2 และ DDR3 การติดตั้ง DDR3 ลงในช่องเสียบ DDR2 อาจทำความเสียหายให้กับ module หรือ motherboard เพื่อเป็นการป้องกันความเสียหายที่จะเกิดขึ้น เบื้องต้นให้ความสอบว่าช่องเสียบบน motherboard ตรงกันกับ module หรือไม่แล้วจึงทำการเสียบลงในช่องเสียบ
รูปภาพด้านล่างแสดงความแตกต่างระหว่าง DDR3 และช่องเสียบ DDR2

เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช( Flash Memory) ณัฐนันท์ ภิญญศิริ (50,266 views) first post: Sat 22 September 2007 last update: Sun 14 October 2007 เทคโนโลยี Flash Memory เป็นหน่วยความจำแบบ non-volatile ที่นิยมใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์ Digital ไม่ว่าจะเป็น กล้องถ่ายภาพดิจิตอล iPod PDA Smart Phone ที่ต้องการหน่วยความจำที่สามารถบันทึกข้อมูลได้มากและรวดเร็ว

สารบัญ

หน้า : 1 รู้จักกับ Flash Memory
หน้า : 2 Flasn Memory ที่นิยมใช้ในธุรกิจ
หน้า : 3 มาตรฐาน Flash Memory รูปแบบใหม่
หน้า : 4 Microdrive คืออะไร
หน้า : 5 Flash Drive

 

หน้าที่ 1 - รู้จักกับ Flash Memory

คอมพิวเตอร์และอุปกรณ์ทางอิเล็คทรอนิกส์ในปัจจุบันใช้สื่อเก็บข้อมูลที่แตกต่างกัน ทำให้มีการพัฒนาส่อจัดเก็บข้อมูลเพื่อรองรับการทำงานกับคอมพิวเตอร์และอุปกรณ์ทางอิเล็กทรอนิกส์เหล่านี้ การพัฒนาสื่อจัดเก็บข้อมูลเหล่านี้จะต้องคำนึงถึงความเร็ว ความจุ ขนาด และราคา ส่อจัดเก็บข้อมูลประเภทนี้จริง ๆ แล้วเป็นหน่วยความจำแบบหนึ่ง ปัจจุบันเรามีหน่วยความจำแบบนี้มากมายที่ใช้กับอุปกรณ์ที่หลากหลาย เช่น กล้องดิจิตอล เครื่องเล่นและบันทึกเสียงแบบดิจิตอล รวมทั้งคอมพิวเตอร์ที่เราอาจจะใช้เคลื่อนย้ายข้อมูลในปริมาณที่สูงกว่าการใช้แผ่นฟล็อปปี้ดิสก์ ซึ่งอาจมีชื่อเรียกแตกต่างกัน เช่น Compact Flash, Smart Media, Memory Stick, Multimedia Card , Flash Drive หรือ Thumb Drive เป็นต้น

หน่วยความจำแฟลช (Flash Memory) คือ หน่วยความจำขนาดเล็กประเภท non-volatiole ที่สามารถบันทึกข้อมูลลงไปได้โดยที่ไม่ต้องใช้แบตเตอรี่ ข้อมูลไม่มีการสูญหายเมื่อปิดสวิตซ์ ซึ่งมีส่วนที่ใช้บันทึกข้อมูล เรียกว่า solid state chips ซึ่งใช้กระบวนการทางไฟฟ้าในการบันทึกข้อมูลและมีตัวควบคุมการอ่านและเขียนในตัวเอง หน่วยความจำสำรองแบบ solid state เป็นหน่วยความจำแบบ non-volatiole ที่เป็นที่นิยมใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์ Digital เช่น กล้องถ่ายภาพแบบดิจิตอล ที่สามารถบันทึกข้อมูลได้มากและรวดเร็ว หรือในอุปกรณ์ที่สามารถบันทึกและเคลื่อนย้ายข้อมูลได้สะดวกรวดเร็ว

"Flash" เป็นชื่อที่ได้มาจากวิธีการจัดการของ chip ที่นำมาใช้ ซึ่งสามารถลบข้อมูลที่บรรจุภายใน cell ได้ด้วยการกระทำเพียงครั้งเดียว โดยข้อมูลที่บันทึกใน Flash Memory สามารถลบ หรือ แก้ไขข้อมูลที่จัดเก็บไว้ในหน่วยความจำที่เรียกว่า "block"

Flash Memory มักถูกใช้สำหรับการเก็บ control code เช่น BIOS เป็นต้น เนื่องจาก ง่ายต่อการ update ข้อมูล ซึ่ง BIOS คือโปรแกรมที่ใช้เพื่อเริ่มการทำงานของระบบคอมพิวเตอร์หลังเปิดสวิตซ์ โดย BIOS จะคอยควบคุม หรือ จัดการกับกระแสข้อมูลที่วิ่งระหว่างระบบปฏิบัติการ (Operating System : OS) กับอุปกรณ์ต่าง ๆ ที่ติดตั้งอยู่ เช่น ฮาร์ดดิสก์ กราฟิกการ์ด คีย์บอร์ด เมาส์ หรือ ปริ๋นเตอร์ อย่างไรก็ตาม Flash Memory ยังไม่สามารถนำมาใช้งานแทนแรมได้ เพราะแรมต้องการการระบุตำแหน่งในระดับไบต์ ซึ่งละเอียดกว่าไม่ใช่ระดับ block ที่ใช้ใน Flash Memory

<

ในปัจจุบัน Flash Memory จะถูกนำมาใช้กับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แบบพกพาขนาดเล็ก เช่น กล้องดิจิตอล เครื่องบันทึกเสียง โทรศัพท์มือถือ หรือเครื่องบันทึกข้อมูลมือถือแบบ PDA PC card สำหรับเครื่องคอมพิวเตอร์ Notebooke ที่ต้องการหน่วยความจำที่ออกแบบให้มีขนาดเล็กมากในการจัดเก็บข้อมูลต่าง ๆ

ข้อดี:

1. สามารถเก็บข้อมูลได้ดีกว่า magnatic disk เนื่องจากเป็นการเก็บข้อมูลโดยใช้ chip
2. ในขณะที่ทำการบันทึกจะไม่มีการหมุนของอุปกรณ์ภายใน flash memory card ทำให้มีความคงทนต่อการกระทบกระเทือนได้มากกว่า magnatic disk
3. มีขนาดเล็ก และ สามารถถอดออกได้ง่าย

ข้อเสีย:

1. มีข้อจำกัดด้านความจุ ซึ่งมีความจุน้อยกว่าฮาร์ดดิสก์
2. ยังไม่สามารถนำมาใช้แทนหน่วยความจำ RAM ได้

หน้าที่ 2 - Flasn Memory ที่นิยมใช้ในธุรกิจ

Compact flash

Compact flash มักนิยมเรียกว่า CF Card ถูกพัฒนาขึ้นโดยบริษัท ScanDisk เป็นอุปกรณ์บันทึกข้อมูลที่มีขนาดเล็กและมีความทนทาน โดยในการ์ดจะมี control chip อยู่ภายใน และสามารถบันทึกข้อมูลได้มากใช้กำลังไฟต่ำ รวมถึงความรวดเร็วในการบันทึกภาพที่สูงขึ้น เริ่มนำมาใช้งานเมื่อปี ค.ศ. 1994 นิยมใช้เป็นอุปกรณ์บันทึกข้อมูลของกล้องดิจิตอลมากที่สุด และอุปกรณ์คอมพิวเตอร์อื่น ๆ โดยใช้การเชื่อมต่อแบบ 50-pin connector

จุดเด่นของ Compact flash คือ มีน้ำหนักเบา มีขนาด 43 x 36 มม. หนา 3.3 มม. มีความทนทานมากกว่าเมื่อเทียบกับ Smart Media เกือบเท่าตัว แต่ความเร็วในการส่งข้อมูลเท่ากัน
ใช้พลังงาน 3.3 V.หรือ 5 V หรือเทียบเท่าราว 5% ของดิสก์ไดร์ฟ มีความทนต่อการตกสูงถึง 10 ฟุต และมีอายุการใช้งานราว 100 ปี โดยข้อมูลไม่เสียหาย ขนาดความจุในปัจจุบันมีตั้งแต่ 8-512 MB และมีการพัฒนาอย่างต่อเนื่องให้มีความจุสูงขึ้นเรื่อย ๆ

Compact Flash ได้รับการพัฒนาเป็น 2 มาตรฐาน คือ
1. Compact flash type I จัดเก็บข้อมูลในลักษณะ Solid state memory แต่เนื่องจากมีข้อจำกัดในด้านความจุของข้อมูล ทำให้มีการพัฒนาแบบที่ 2 ขึ้นมาเรียกกว่า Compact flash type II
2. Compact flash type II เริ่มเปิดตัวด้วยความจุสูง 340 MB ปัจจุบันมีความจุอยู่ที่ 3 GB

อุปกรณ์ที่นิยมใช้ Compact flash type II ส่วนใหญ่มักจะเป็นกล้องดิจิตอลที่มีศักยภาพสูง

ความแตกต่างกันระหว่าง Compact flash type I กับCompact flash type II คือ
ส่วนของความหนา ซึ่ง Compact flash type I มีความหนาเพียง 3.3 มม.ในขณะที่ Compact flash type II หนา 5.5 มม.

ข้อดี :
1. การทำงานภายในจะคล้ายกับฮาร์ดดิสก์ขนาดเล็ก เก็บข้อมูลได้มาก
2. เขียนและอ่านข้อมูลได้รวดเร็วกว่าเดิม

ข้อเสีย : ใช้กำลังไฟมากทำให้เปลืองแบตเตอรี่มากขึ้น




xD-Picture Card

xD-Picture Card เป็นหน่วยความจำแฟลชที่พัฒนาออกมาล่าสุด โดยความร่วมมือระหว่าง SanDisk และ Olympus เพื่อใช้กับกล้องดิจิตอลซึ่งการ์ดนี้มีความสะดวกสบายกับกล้องดิจิตอล Olympus cและ Fuji xD-Picture Card เป็นหน่วยความจำขนาดเล็กแต่มีอัตราการถ่ายโอนข้อมูลด้วยความเร็วสูง การ์ดประเภทนี้สามารถใช้งานร่วมกับอุปกรณ์ xD devices หรือถ้ามีอะแด็ปเตอร์ Compact Flash, Smart Media หรือการ์ด PCMCIA/PC ก็สามารถใช้งานร่วมกันได้ เมื่อต้องการถ่ายโอนข้อมูลจากหน่วยความจำแฟลชเหล่านี้ที่ใช้งาน เช่นตัวอ่านที่เรียกว่า "ตัวอ่าน" (reader) ซึ่งขึ้นอยู่กับประเภทของหน่วยความจำแฟลชที่ใช้งาน เช่นตัวอ่านสำหรับ Compact Flash ก็จะมีตัวอ่านเป็น Compact Flash Reader เป็นต้น ปัจจุบันได้มีการพัฒนาตัวอ่านให้สามารถอ่านข้อมูลจากสื่อที่หลากหลายอาจจะมีชื่อว่า 6-in-1 reader หรือ 8-in-1 reader เป็นต้น ตัวอ่านที่เห็นด้านล่างนี้เป็นของ SanDisk เป็นตัวอ่านที่รองรับหน่วยความจำแฟลชทั้ง 8 แบบ คือ Compact Flash ทั้ง Type I และ Type II Memory Stick Pro, Smart Media, xD-Picture Card, Multimedia Card และ SD Card ตัวอ่านเหล่านี้จะเชื่อมต่อกับคอมพิวเตอร์ผ่านทางพอร์ตอนุกรม พอร์ตขนาน หรือพอร์ต USB หลังจากนั้นจะถ่ายโอนข้อมูลเข้าไปเก็บในฮาร์ดดิสก์ เพื่อใช้งานต่อไป แต่สำหรับอุปกรณ์บางตัวจะมีหัวอ่านในตัวเอง เช่น กล้องดิจิตอลบางรุ่น จึงสามารถถ่ายโอนข้อมูลกับคอมพิวเตอร์ได้โดยตรงแค่เพียงต่อเคเบิลเข้ากับพอร์ตแล้วใช้ซอฟต์แวร์ที่มีมาให้ก็สามารถใช้งานได้เช่นกัน หรือเครื่องคอมพิวเตอร์โน๊ตบุ๊คที่มีพอร์ต PCMCIA ก็สามารถใช้อะแด็ปเตอร์เพื่อแปลงสัญญาณให้เข้ากับ PCMCIA แทนการใช้ตัวอ่านก็ได้





Memory Stick

เป็นอุปกรณ์ในการเก็บข้อมูลที่มีขนาดเล็กเท่าหมากฝรั่ง ผลิตโดยบริษัทโซนี และนำมาใช้ในอุปกรณ์ต่าง ๆ จากทางบริษัทโซนีที่เป็นผู้ผลิต สามารถใช้ในการเก็บข้อมูลสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เช่น กล้องดิจิตอล กล้องวีดีโอ คอมพิวเตอร์Notebook เครื่อง PDAเป็นต้น สะดวกต่อการพกพา มีคุณสมบัติป้องกันการเขียนทับเช่นเดียวกับ smart media memory stick มีขนาด 50 x 21.5 มม. หนา 2.8 มม. ความจุเริ่มต้นตั้งแต่ 4 MB จนถึง 1GB และมีแนวโน้มจะมีขนาดความจุมากขึ้น อ่านข้อมูลด้วยความเร็ว 2.45 MBps และเขียนด้วยความเร็ว 1.8 MBps
ข้อดี:
1. มีความรวดเร็วในการถ่ายโอนข้อมูลในระดับที่สูงกว่า 1 MBps
2. ช่วยให้การเขียนอ่านข้อมูลเป็นไปด้วยความรวดเร็วมากยิ่งขึ้น

ข้อเสีย:
1. มีราคาค่อนข้างสูงเมื่อเทียบกับอุปกรณ์บันทึกข้อมูลอื่น ๆ
2.ใช้ได้กับอุปกรณ์ของโซนี่เท่านั้น




Smart Media

ถูกพัฒนาขึ้นเมื่อปี ค.ศ.1995 เป็นอุปกรณ์บันทึกข้อมูลแบบ solid state ที่มีขนาดเล็ก ขนาด 45 x 37 มม. และเบามาก ความบางเพียง 0.8 มม. สามารถพกพาไปใช้งานได้สะดวก ใช้กำลังไฟต่ำ โดยด้านหนึ่งของการ์ดจะมีแผ่นทอง ภายในแบ่งพื้นที่เป็น 22 ส่วน ซึ่งเป็นส่วนที่ใช้เชื่อมต่อกับอุปกรณ์ต่าง ๆ นอกจากนี้ยังมีคุณสมบัติป้องกันการเขียนทับ โดยการปิดสติ๊กเกอร์สีเงินทับบริเวณที่กำหนด มีขนาดความจุของข้อมูลให้เลือกใช้หลายขนาดขึ้นอยู่กับความต้องการของผู้ใช้

จุดด้อยของ Smart Media
1. การแตกหักง่าย เพราะความบางเบา ค่อนข้าระวังรักษายาก เนื่องจากหน้าสัมผัสที่เป็นแผ่นทองเหลืองอาจเกิดรอยขีดข่วนได้ง่าย ควรหลีกเลี่ยงการสัมผัสด้วยมือโดยตรงโดยเฉพาะบริเวณหน้าสัมผัส
2. มีราคาสูง




Multimedia Card

Multimedia Card หรือที่นิยมเรียกว่า MMC เป็นการ์ดที่มีขนาดเล็กเท่าแสตมป์ คือกว้าง 24 มม. ยาว 32 มม. และหนา 1.4 มม. มีความจุสูงถึง 128 เมกะไบต์ นิยมใช้ก็บข้อมูลประเภทเสียง MP3 ในเครื่องเล่นแบบพกพา และมีการนำมาใช้ในอุปกรณ์ PDA ทั้งที่เป็น Pocket PC และ Plam




Secure Digital

Secure Digital หรือที่นิยมเรียกว่า SD Card เป็นการ์ดที่พัฒนาต่อมาจาก MMC (Multimedia Card)โดยเพิ่มในส่วนของการเข้ารหัสข้อมูลที่บันทึกไว้ ซึ่งจะมีประโยชน์สำหรับการบันทึกเพลงและหนังสืออิเล็กทรอนิกส์ เพราะช่วยป้องกันการทำสำเนาโดยไม่ได้รับอนุญาต ทำให้มีแนวโน้มว่าการ์ดประเภทนี้จะได้รับความนิยมนำมาใช้ในอุปกรณ์ต่าง ๆ อย่างมาก ขนาดสูงสุดในปัจจุบันของ SD Card คือ 256 MB ความก้วางยาวเท่ากับ MMC และมีความหนา 2.1 มม.

หน้าที่ 3 - มาตรฐาน Flash Memory รูปแบบใหม่

มาตรฐานหน่วยความจำ Flash Memory รูปแบบใหม่

ในโลกของเทคโนโลยี หน่วยความจำ Flash Memory กำลังได้รับความนิยมเป็นอย่างสูงในการจัดเก็บข้อมูลภาพ เสียง วีดีโอ บนเครื่องเล่นเพลง ภาพยนตร์แบบพกพา โทรศัพท์มือถือ ทำให้มีผู้คนมีความต้องการในการจัดเก็บข้อมูลไว้ในอุปกรณ์ที่มีขนาดความจุในการเก็บข้อมูลสูงขึ้น จึงได้มีการสร้างมาตรฐานใหม่ของหน่วยความจำ Secure Digital ซึ่งได้รับการพัฒนาขึ้นในรูปแบบ SDHC (Secure Digital High Capacity) หรือเรียกอีกอย่างหนึ่งว่า SD 2.0 นั่นเอง เป็นรูปแบบการจัดเก็บข้อมูลสำหรับการ์ดหน่วยความจำชนิด SD แต่รองรับความจุที่สูงถึง 4 – 32 GB

มาตรฐานสื่อบันทึกข้อมูล SDHC ใช้ในการจัดเก็บไฟล์ที่มีขนาดใหญ่กว่า 2 GB จึงใช้ระบบไฟล์แบบ FAT32 เมื่อเทียบกับรูปแบบ SD Card แบบเดิม ซึ่งใช้ระบบไฟล์ในรูปแบบ FAT16 โดยมีขนาดเท่ากับ SD Card แบบเดิม แต่ก็ควรจะตรวจสอบก่อนว่า อุปกรณ์ที่เราใช้ รองรับ SDHC หรือไม่ และควรพิจารณาไปถึง Card Reader ด้วย

ในปัจจุบัน กล้องดิจิตอล เครื่องเล่นเพลง โทรศัพท์มือถือรุ่นใหม่ๆ ต่างก็ขานรับมาตรฐานใหม่ ออกผลิตภัณฑ์ที่รองรับ SDHC มากขึ้น จะเห็นได้จากมาตรฐาน MiniSDHC และ MicroSDHC ดังนั้น เรื่องความเข้ากันได้ของมาตรฐานใหม่ ก็ยังคงต้องรอเวลาสักนิด ให้ผลิตภัณฑ์ใหม่ๆออกมารองรับ SDHC ให้แพร่หลายเสียก่อน เช่นเดียวกับมาตรฐานการเชื่อมต่อ USB ซึ่งปัจจุบันเป็นมาตรฐาน 2.0 เรียบร้อยแล้ว

หน้าที่ 4 - Microdrive คืออะไร

Microdrive คืออะไร

Microdrive เป็นหน่วยเก็บข้อมูลขนาดเล็กที่ได้รับความนิยมอีกแบบหนึ่ง ที่พัฒนาโดยบริษัท IBM ที่จัดอยู่ในกลุ่มฮาร์ดดิสก์ เนื่องจากมีมอเตอร์ขนาดจิ๋ว แต่ Microdrive ใช้เทคโนโลยีของCompact Flash Type II ทำให้ใช้กับอุปกรณ์ที่รองรับ Compact Flash ได้ทันที ซึ่งบริษัท IBM ได้ย่อขนาดให้เล็กลงโดยมีความจุตั้งแต่ขนาด 170,340,540 MB จนถึง 1 GB

Microdrive จะผลิตตามมาตรฐานของ Compact Flash Type II ทำให้มีขนาดเล็กและใช้กับอุปกรณ์ที่สนับสนุน Compact Flash Type II ได้ นิยมนำมาใช้ในกล้องดิจิตอลที่ต้องการเก็บภาพคุณภาพสูงจำนวนมาก

ข้อดี:
1. มีราคาถูกเมื่อเทียบกับพื้นที่เก็บข้อมูล
2. มีขนาดความจุสูงสุดถึง 1 GB

หน้าที่ 5 - Flash Drive

Flashdrive หรือมักเรียกกันว่า JumpDrive, Pocket drive, Pen drive หรือ Thumb drive เป็นหน่วยความจำแฟลชที่เชื่อมต่อกับคอมพิวเตอร์ผ่านทางพอร์ต USB (ปัจจุบันสามารถใช้งานได้กับ USB 1.1 และ 2.0 ) ทำหน้าที่เหมือนฮาร์ดดิสก์ขนาดเล็ก ทำให้คุณสามารถเคลื่อนย้ายข้อมูลในปริมาณมากได้อย่างสะดวกและรวดเร็ว เนื่องจากมีขนาดเล็กทำให้สามารถใส่ในกระเป๋าเสื้อ หรือสายคล้องคได้ เมื่อจะใช้งานก็เพียงเวียบลงในพอร์ต USB ก็สามารถถ่ายโอนข้อมูลในFlashdrive ลงในฮาร์ดดิสก์ของคอมพิวเตอร์ได้ทันที

ขนาดของ Flashdrive มีขนาดประมาณนิ้วหัวแม่มือ เหมือนคำว่า "Thumb" ที่แปลว่าหัวแม่มือ ขนาดของแต่บริษัทผู้ผลิตก็จะแตกต่างกัน เช่น Flashdrive ของบริษัทโซนี่ จะมีขนาด 1x3.62x0.5 นิ้ว ในขณะที่ของ Cruzer จะมีขนาด 20.82x74.85x8.52 มม.

ด้านความจุ ก็มีให้เลือกมากมาก ตั้งแต่ 16 MB ,32 MB , 64 MB , 128 MB , 256 MB , 512 MB ,1 GB ,2 GB, 4 GB ซึ่งเป็นความจุสูงสุด ส่วนความเร็วในการอ่าน/เขียนก็จะแตกต่างกันไปเช่นเดียวกับความจุ ซึ่งถ้าเป็นของบริษัทโซนี่ ความเร็วจะอยู่ที่ 5.5 และ 1.0 Mbps (เมกะบิตต่อวินาที) ในขณะที่ของ Cruzer ความเร็วการอ่าน/เขียนจะอยู่ที่ 15 และ 13 Mbps ในบางรุ่นจะมีสวิตช์เพื่อป้องกันการเขียนทับ รวมทั้งมีรหัสผ่านเพื่อป้องกันการใช้ไดร์ฟดังกล่าว

จุดเด่นของFlash drive คือ ความสะดวกในการพกพา การใช้งานที่ง่าย เพียงแค่มีพอร์ตยูเอสบี ระบบปฏิบัติการ ก็สามารถมองเห็นเป็น ไดร์ฟตัวหนึ่ง ปัจจุบันเคร่องคอมพิวเตอร์ที่ใช้ระบบปฏิบัติการ Windows XP ก็สามารถสนับสนุนการทำงานของ Thumb drive ได้อัตโนมัติโดยไม่ต้องติดตั้ง driver

ของFlash drive ที่ใช้งานในปัจจุบัน เช่น ใช้อ่านข้อมูลอย่างเดียว ใช้อ่านข้อมูลและเป็นเครื่องเล่น MP3 ใช้อ่านข้อมูลและสามารถบูตเครื่อง เพื่อทำหน้าที่เรียกระบบปฏิบัติการจากThumb drive ได้โดยตรงโดยไม่ต้องเรียกใช้จากฮาร์ดดีสก์ ใช้อ่านข้อมูลและเป็นกล้องดิจิตอลด้วย

ปัจจุบันจะเห็นว่า Flash drive เป็นอุปกรณ์บันทึกข้อมูลที่มีบทบาทโดดเด่นมากขึ้นเรื่อย ๆ สังเกตได้จากจำนวนผลิตภัณฑ์ที่มีให้เลือกในท้องตลาด ผู้ใช้สามารถเลือกซื้อหลากหลายขนาดความจุ เริ่มต้องแต่ 128 MBจนถึง 4 GB

แนวโน้มที่มีความเป็นไปได้มากที่ Flash drive จะเข้ามาแทนสื่อบันทึกข้อมูลแบบเก่า เช่น ดิสก์เกตต์ เพราะมีขนาดเล็กกะทัดรัดแต่มีความจุมากกว่า รวมทั้งมีคุณสมบัติเป็น plug and play โดยเสียบที่ USB port ซึ่งเป็นมาตรฐานของคอมพิวเตอร์ทุกเคร่องได้ทันทีโดยไม่ต้องปิดเครื่องคอมพิวเตอร์ และใช้แหล่งจ่ายไฟฟ้าจาก USB port ได้ในตัว

ข้อควรระวังในการใช้ Flash drive
ในการเลิกใช้งานผู้ใช้ไม่ควรดึง Flash drive ออกจากเครื่องทันที จะต้องตรวจสอบให้แน่ใจก่อนว่าไม่ได้มีการใช้งาน โดยสังเกตจาก tray icon ถ้าปรากฏมี icon อยู่ให้ทำการ คลิกที่ icon เพื่อหยุดการทำงานจนกว่า icon จะหายไปจาก tray icon จึงค่อยดึงออกจากเครื่องคอมพิวเตอร์ เพื่อป้องกันกการสูญหายของข้อมูล

ถ: FB-DIMM คืออะไร?

FB-DIMM คือเทคโนโลยีหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ยุคต่อไป ซึ่งขณะนี้ JEDEC ซึ่งเป็นกลุ่มมาตรฐานอุตสาหกรรม กำลังกำหนดมาตรฐานอยู่ Intel Corporation ซึ่งเป็นผู้พัฒนาเทคโนโลยี FB-DIMM รายสำคัญ และเป็นผู้นำมาใช้งานเจ้าแรก กำลังเปิดตัวเซิร์ฟเวอร์ Xeon สองทาง (ชื่อรหัสว่า "Bensley") โดยใช้ชิปเซ็ต 5000 ชุด โดยจะเริ่มเปิดตัวในปี 2549 นี้ FB-DIMM เป็นโมดูลหน่วยความจำ "อัจฉริยะ" ซึ่งติดตั้งคอนโทรลเลอร์หน่วยความจำพิเศษไว้ในตัว

FB-DIMM ไม่สามารถใช้ร่วมกับเซิร์ฟเวอร์ที่มีอยู่ ที่ใช้หน่วยความจำ DDR2 Registered DIMM ได้ นอกจากนั้นยังใช้งานกับแพลตฟอร์มของเดสก์ท็อป หรืออุปกรณ์มือถือไม่ได้ด้วย เนื่องจากออกแบบมาเฉพาะสำหรับเซิร์ฟเวอร์ ที่ใช้สถาปัตยกรรมหน่วยความจำ FB-DIMM เท่านั้น

ถ: เมื่อไรเซิร์ฟเวอร์ที่ใช้ FB-DIMM จึงจะเปิดตัวสู่ตลาด?

เซิร์ฟเวอร์ที่ใช้ FB-DIMM เริ่มเปิดตัวแล้วเมื่อปลายเดือนพฤษภาคม 2549 โดยผู้ผลิตเซิร์ฟเวอร์และเมนบอร์ดรายใหญ่ Kingston จะเริ่มเปิดตัว FB-DIMM เฉพาะระบบ เมื่อ OEM เริ่มเปิดตัวแพลตฟอร์มเซิร์ฟเวอร์ใหม่ ValueRAM FB-DIMM ที่ได้มาตรฐานอุตสาหกรรมของ Kingston มีความจุที่ 512MB, 1GB และ 2GB ได้เริ่มเปิดตัวแล้วตั้งแต่ไตรมาสที่ 1 ของปี 2549 โดยคาดว่าจะเปิดตัว 4GB FB-DIMM ได้ในไตรมาสที่ 3 ของปี 2549

ถ: เทคโนโลยี FB-DIMM จะส่งผลกระทบต่อไอทีอย่างไร?

FB-DIMM ช่วยแก้ไขปัญหาเรื่องความจุของหน่วยความจำ DDR2 และจะทำให้เซิร์ฟเวอร์สองทางมีหน่วยความจำ DDR2 ได้สูงถึง 64 GB ในปี 2549 โดยเซิร์ฟเวอร์เหล่านี้จะกำหนดค่าให้ซ็อกเก็ตรองรับ FB-DIMM ได้ 8, 12, หรือ 16 ตัว ทำให้หน่วยความจำมีความยืดหยุ่นได้มากอย่างไม่เคยมีมาก่อน FB-DIMM จะช่วยให้อัพเกรดหน่วยความจำของเซิร์ฟเวอร์ได้เมื่อเวลาผ่านไปนานๆ จึงทำให้เซิร์ฟเวอร์มีอายุการใช้งานยาวนานขึ้น และช่วยลดต้นทุนโดยรวมของเจ้าของ (TCO) ลงอีกด้วย เซิร์ฟเวอร์ที่ใช้ FB-DIMM จะทำให้ซ็อกเก็ตหน่วยความจำทั้งหมดสามารถใช้งานได้ ต่างจากเซิร์ฟเวอร์ Lindenhurst ที่มีข้อจำกัด ทำให้ต้องปล่อยช่องเสียบหน่วยความจำว่างไว้ ถ้าเครื่องถึงขีดจำกัดนั้น

แผนผังต่อไปนี้แสดงแพลตฟอร์ม Bensley สองแบบหลักๆ ที่คาดว่าจะออกในปี 2549 และแสดงความจุของหน่วยความจำ DDR2 ที่คาดว่าจะมี:

ถ: เทคโนโลยี FB-DIMM มีการทำงานอย่างไร?

เทคโนโลยี FB-DIMM ใช้การเชื่อมต่อหน่วยความจำแบบอนุกรมความเร็วสูง (บัสแคบ) เหมือนกับเทคโนโลยี PCI Express ที่เปิดตัวไปแล้วเมื่อเดือนมิถุนายน 2547 โดย FB-DIMM จะมีคอนโทรลเลอร์อัจฉริยะติดตั้งอยู่ภายใน เรียกว่า Advanced Memory Buffer (AMB) ซึ่งทำหน้าที่อ่านและเขียน DRAM ของโมดูลทั้งหมด ขณะเดียวกันก็ดูแลการสื่อสารเชื่อมต่อที่ระดับความเร็วสูงระหว่างคอนโทรลเลอร์ของหน่วยความจำ FB-DIMMs คือโมดูลหน่วยความจำ "อัจฉริยะ"

FB-DIMM ใช้ DDR2-533 และ DDR2-667 DRAM เดิม ซึ่งใช้งานอยู่แล้วบนเครื่องเดสก์ท็อปและโน๊ตบุ๊ครุ่นใหม่ๆ (แพลตฟอร์ม Bensley จะเริ่มเปิดตัวพร้อมกับหน่วยความจำ DDR2-533 และจะรองรับหน่วยความจำ DDR2-667 ในภายหลังในปี 2549)

แพลตฟอร์มของเซิร์ฟเวอร์ที่ใช้ FB-DIMM จะเพิ่มหน่วยความจำขึ้นถึง 6 ช่อง โดยใช้ FB-DIMM 8 ตัวต่อช่อง เมื่อกำหนดค่าสูงสุด เซิร์ฟเวอร์ระดับบนในอนาคตจะมีซ็อกเก็ตสำหรับ FB-DIMM ถึง 48 ช่อง ช่วยให้เพิ่มความจุของหน่วยความจำได้ถึง 192 GB โดยใช้โมดูล 4-GB FB-DIMM

FB-DIMM ใช้ชิปหน่วยความจำ DDR2 มาตรฐานที่ 1.8 โวลต์ Advanced Memory Buffer ต้องใช้ไฟ 1.5 โวลต์ FB-DIMM ใช้พลังงานมากกว่า DDR2 Registered DIMM รุ่นเก่า (เพิ่มขึ้นประมาณ 3-5 วัตต์ต่อโมดูล)

ด้วยความแตกต่างจากแพลตฟอร์มของเซิร์ฟเวอร์ก่อนปี 2549 ซึ่งได้รับผลกระทบจากปัญหาการจัดลำดับ สำหรับหน่วยความจำ DDR2 จึงทำให้ FB-DIMM ขจัดปัญหาเรื่องการจัดลำดับบนเซิร์ฟเวอร์ Bensley และ FB-DIMM ในอนาคตได้ เซิร์ฟเวอร์ Bensley ใหม่ๆ สามารถรองรับ FB-DIMM ลำดับคู่ได้ในซ็อกเก็ตทุกช่อง

ถ: ทำไม FB-DIMM จึงต้องใช้ส่วนกระจายความร้อน?

Advanced Memory Buffer (AMB) ซึ่งเป็นชิปอัจฉริยะที่ทำหน้าที่จัดการการสื่อสารบนโมดูลของหน่วยความจำ FB-DIMM เป็นคอนโทรลเลอร์ หรือหน่วยประมวลผลเฉพาะ ซึ่งมีความร้อนมากกว่า DRAM ดังนั้นส่วนกระจายความร้อนจึงช่วยไล่ความความร้อนออกจากชิป AMB และ DRAM โดยมีพื้นที่กว้างขึ้น เพื่อระบายความร้อนด้วยพัดลมที่ติดตั้งอยู่ภายในเซิร์ฟเวอร์ FB-DIMM ทุกตัวของ Kingston จะมีส่วนกระจายความร้อนให้ DIMM เต็มที่ เพื่อช่วยเพิ่มความน่าเชื่อถือในการทำงาน

เซิร์ฟเวอร์ทั้งหมดที่ใช้หน่วยความจำ FB-DIMM จะได้รับการออกแบบจากผู้ผลิต ให้สามารถกระจายความร้อนออกจากโมดูลหน่วยความจำได้อย่างมีประสิทธิภาพ

ถ: ชิป AMB คืออะไร และทำไมจึงความจำเป?

ชิป AMB หรือชิป Advanced Memory Buffer เป็นหน่วยประมวลผลเฉพาะ (หรือคอนโทรลเลอร์) ที่ติดตั้งไว้บนโมดูล FB-DIMM ทุกตัว เพื่อช่วยให้คอนโทรลเลอร์หน่วยความจำในเมนบอร์ดของเซิร์ฟเวอร์ "เอ้าท์ซอร์ส" ฟังก์ชันในการบริหาร DRAM ไปยังชิป AMB ได้ กระบวนการเอ้าท์ซอร์สนี้เอง ช่วยแก้ไขปัญหาไฟส่วนเกินปริมาณมาก ที่ส่งผลกระทบต่อโมดูลเซิร์ฟเวอร์ DIMM จดทะเบียน

นอกเหนือจากบริหารการอ่านและเขียนทั้งหมดของ FB-DIMM ไปยังการทำงานของ DRAM แล้ว AMB ยังทำหน้าที่จัดการการสื่อสารเชื่อมต่อหน่วยความจำความเร็วสูง โดยเชื่อมโยงคอนโทลเลอร์หน่วยความจำ กับ FB-DIMM ทุกตัวในช่อง

ถ: FB-DIMM จะมีราคามากกว่าโมดูลหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ DIMM จดทะเบียน ที่มีอยู่หรือไม่?

ในการกำหนดค่าหน่วยความจำ DDR2 ตั้งแต่ 8G ขึ้นไปให้เหมือนกัน โดยทั่วไปเซิร์ฟเวอร์ Bensley จะลดค่าใช้จ่ายของหน่วยความจำลงได้มากกว่าเซิร์ฟเวอร์ Lindenhurst รุ่นเก่าๆ

เซิร์ฟเวอร์ Bensley จะช่วยให้ซ็อกเก็ต FB-DIMM ทั้งหมดสามารถใช้งานได้ จึงช่วยเพิ่มช่องห่างระหว่างความจุของหน่วยความจำได้อย่างมีประสิทธิภาพ เช่น ในการกำหนดค่าให้เซิร์ฟเวอร์ Lindenhurst ที่มีหน่วยความจำ DDR2 ความจุ 16 GB จะมีตัวเลือกให้ใช้โมดูลหน่วยความลำดับเดี่ยวขนาด 2-GB ได้แปดตัว หรือโมดูลหน่วยความจำลำดับคู่ขนาด 4-GB ได้สี่ตัว ซึ่งทั้งสองตัวเลือกมีค่าใช้จ่ายสูงเนื่องจาก DRAM มีราคาสูงกว่า บนแพลตฟอร์มของ Bensley ที่ใช้ซ็อกเก็ต FB-DIMM สิบหกตัว สามารถใช้ FB-DIMM ขนาด 1-GB ได้สิบหกตัว ทำให้ประหยัดค่าใช้จ่ายได้มาก FB-DIMM ช่วยลดต้นทุนของหน่วยความจำลงได้ โดยใช้โมดูลหน่วยความจำความจุต่ำที่มีราคาถูก แทนโมดูลหน่วยความจำความจุสูงที่มีราคาแพงกว่ามาก

ชิป AMB จะเพิ่มต้นทุนให้กับหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ FB-DIMM เล็กน้อย และคาดว่าต้นทุนส่วนนี้จะลดลง เมื่อเริ่มผลิตในปริมาณมากในปี 2549

ถ: ท่านใช้ทั้ง FB-DIMM ที่มีความเร็ว 533MHz และ 667MHz รวมกันบนเมนบอร์ดเดียวกันได้หรืไม่?

ได้ แต่เซิร์ฟเวอร์ที่รองรับความเร็วของ DDR2-667 จะเข้าถึงหน่วยความจำด้วยความเร็วที่ลดลง หรือที่ความเร็ว 533MHz สำหรับกรณีนี้ เพื่อประสิทธิภาพในการทำงานและความประหยัดสูงุด FB-DIMM ทั้งหมดควรจะมีความเร็วเท่ากัน

ถ: ท่านใช้ FB-DIMM ลำดับเดี่ยวและคู่ร่วมกันได้หรือไม่?

FB-DIMM ทั้งหมดควรจะติดตั้งในซ็อกเก็ตที่ตรงกันตามช่องที่จับคู่กัน เพื่อการทำงานแบบช่องคู่ได้อย่างเหมาะสม (เช่น โมดูล 1 ของช่อง A ควรจะรงกับโมดูล 1 ของช่อง B) แม้ว่า FB-DIMM ลำดับเดี่ยวและคู่สามารถติดตั้งในเซิร์ฟเวอร์เฉพาะได้ แต่การทำงานแบบช่องคู่ที่เหมาะสมอาจได้รับผลกระทบ จากการใช้ FB-DIMM ลำดับเดี่ยวและคู่ร่วมกันในซ็อกเก็ตช่องคู่ที่ตรงกัน

ถ: คาดว่า DDR2-800 FB-DIMM จะออกได้เมื่อไร?

ในไตรมาสที่สองของปี 2549 ยังไม่มีแผนที่แน่นอนว่าจะออก DDR2-800 FB-DIMM ได้ในปี 2549

ถ: เมื่อไรตลาดจึงจะนำเทคโนโลยี FB-DIMM มาใช้อย่างเต็มที่?

เทคโนโลยี FB-DIMM จะเริ่มใช้กับแพลตฟอร์ม Bensley ใหม่ๆ ของ Intel ทั้งหมดในปี 2549 และคาดว่าจะเริ่มใช้แพลตฟอร์ม Xeon MP ใหม่ของ Intel ได้ในปี 2550 ขณะนี้ JEDEC กำลังกำหนดมาตรฐาน FB-DIMM สำหรับแพลตฟอร์มของเซิร์ฟเวอร์ยุคถัดไปอยู่ Kingston คาดว่า FB-DIMM จะกลายเป็นมาตรฐานหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์อย่างรวดเร็ว ในไม่กี่ปีข้างหน้า

ถ: Kingston สร้างความแตกต่างจากผู้ขายหน่วยความจำอิสระรายอื่นอย่างไร?

Kingston เป็นผู้ผลิตหน่วยความจำอิสระเพียงรายเดียว ที่ร่วมงานกับ Intel และผู้ผลิต DRAM ระดับโลกมาตั้งแต่ปี 2547 เพื่อทำต้นแบบ ผลิต และทดสอบ FB-DIMM ในฐานะผู้เชี่ยวชาญรายหนึ่งด้านเทคโนโลยีการทดสอบ Kingston จึงได้พัฒนาเครื่องมือทดสอบที่เป็นฮาร์ดแวร์ และซอฟต์แวร์เฉพาะ ที่มีลิขสิทธิ์ขึ้น เพื่อใช้ในการทดสอบโมดูล FB-DIMM แต่ละตัวอ่างมีประสิทธิภาพก่อนส่งมอบให้ลูกค้า Kingston ยังจัดทำแผงวงจรทดสอบ และซอฟต์แวร์ขึ้น เพื่อทดสอบค่าพารามิเตอร์และคุณลักษณะเฉพาะอย่างละเอียดของ FB-DIMM บนเครื่องทดสอบ Automated Test Equipment (ATE) ระดับบน จึงรับรองได้ว่า FB-DIMM มีคุณสมบัติตรงตามข้อกำหนด และสามารถใช้งานได้เต็มประสิทธิภาพ

Kingston ได้รับการคัดเลือกผู้ผลิตเซิร์ฟเวอร์ชั้นนำ ให้เป็นคู่ค้าเชิงกลยุทธ์สำหรับหน่วยความจำ FB-DIMM Kingston เตรียมพร้อมเต็มที่ ในการจัดส่งหน่วยความ FB-DIMM คุณภาพสูง และสนับสนุนคู่ค้า และผู้ซื้อสินค้าไอทีทั่วโลก เพื่อช่วยเพิ่มต้นทุนโดยรวมของการเป็นเจ้าของ (TCO) ผลตอบแทนจากการลงทุน (ROI) และประโยชน์จากอายุการใช้งาน ของแพลตฟอร์มเซิร์ฟเวอร์ใหม่ของ Intel

รุปที่ 6 DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM คือมาตรฐานเมโมรียุคใหม่สำหรับเครื่องคอมพิวเตอร์ ที่ได้รับการพัฒนาอย่างต่อเนื่องจากมาตรฐาน DDR และ DDR2 เพื่อให้เมโมรีสามารถทำงานร่วมกับเมนบอร์ดและซีพียูได้อย่างมีประสิทธิภาพ มากยิ่งขึ้นและความเร็วที่เพิ่มขึ้น ไม่สะสมความร้อนและใช้พลังงานต่ำ ซึ่งได้รับการรับรองมาตรฐานอย่างเป็นทางการจากองค์กร JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) ผู้กำหนดมาตรฐานเทคโนโลยีชิ้นส่วนอีเล็คทรอนนิคระดับโลก กล่าวคือ ในปี 2007 เทคโนโลยีหน่วยความจำ DDR2 ได้พัฒนาถึงขีดสุด และอุตสาหกรรมคอมพิวเตอร์เลือก DDR3 เป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำสำหรับยุคถัดไป เทคโนโลยีหน่วยความจำ DDR3 พัฒนามาจากเทคโนโลยีหน่วยความจำ DDR2 โดยเพิ่มสมรรถนะในการทำงานให้ดีขึ้น ในส่วนของคีย์ เพื่อรองรับโปรเซสเซอร์สี่แกน นอกจากนั้น Kingston ยังมีความเชื่อมโยงในระดับวิศวกรรม กับบริษัทเทคโนโลยีต่างๆ อาทิเช่น Intel Corporation รวมทั้งผู้ผลิต DRAM, ชิปเซ็ต , เมนบอร์ด , และระบบชั้นนำระดับโลกอีกมากมาย พันธมิตรในอุตสาหกรรมนี้เปิดตัวหน่วยความจำ และแพลตฟอร์ม DDR3 ในเดือนมิถุนายน 2007 คาดว่าจะมีผู้ผลิตระบบรองรับหน่วยความจำ DDR3 เพิ่มเติม เนื่องจากเทคโนโลยีจะเริ่มลงในปี 2007 และ 2008 ความมุ่งมั่นของ Kingston ที่มีต่อกระบวนการ และการเป็นพันธมิตรด้านเทคโนโลยีของ JEDEC ช่วยให้ Kingston เป็นผู้นำรายแรกในตลาด ด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำใหม่ๆ อยู่เสมอ
ดังนั้น Kingston และบริษัทในเครือ Advanced Validation Labs, Inc. (AVL) จึงเป็นผู้ให้บริการตรวจรับรองชิปหน่วยความจำ DDR3 และหน่วยความจำ ให้แก่อุตสาหกรรมนี้ และให้บริการทดสอบที่ผ่านการรับรองจาก Intel AVL เป็นห้องปฏิบัติการตรวจรับรองเทคโนโลยีหน่วยความจำชั้นนำ ในอุตสาหกรรมด้านนี้ โดยบริการทดสอบนี้ผ่านการรับรองจากผู้ผลิตระบบและผู้ผลิตชิปเซ็ตรายใหญ่ ประกอบด้วย Intel , SiS , VIA , NVIDIA , และ ATI

การทำงานของหน่วยความจำ

1. ตัวควบคุมหน่วยความจำจะส่ง Row address ไปที่ขาของ Address ของหน่วยความจำ(DRAM)
2. สัญญาณ RAS (Row address Strobe)จากตัวควบคุมหน่วยความจำจะทำให้ Row Address ถูก Latch ที่ Row Latch และถูกส่งไปที่ Row Address Decoder เพื่อเลือก cell ในแนวของแถว
3. Memory Controller จะหยุดช่วงเวลาสั้นๆ ก่อนที่จะส่ง Column Address ตามออกมา ช่วงเวลานี้เรียกว่า RAS to CAS delay
4. หลังจากที่ RAS to CAS delay ผ่านพ้นไป Column address จะถูกส่งจาก Memory Controller ไปที่ขาของ Address ของ DRAM และColumn address จะถูกหยุดที่ Column Latch และถูกส่งไปยัง Column Address Decoder ด้วยสัญญาณ CAS
5. Column Address Decoder จะถอดรหัส Column address จนรู้ว่า column ใดถูกเรียกใช้ ก็จะกระตุ้น cell นั้นออกมาทำงาน โดยส่งสัญญาณ WE = 1 ทำงาน, ถ้า WE = 0 ไม่ทำงาน
6. หน่วยความจำจะรอสัญญาณ Read/Write ต่อไป

ความเป็นมาและการติดตั้งหน่วยความจำ
     เมื่อหลายปีก่อนในขณะที่ CPU 386 ของ Intel ซึ่งเป็น CPU 32 บิต เป็นที่นิยมใช้กันอยู่นั้น ผู้ผลิตเมนบอร์ดก็ได้มีการค้นหาว่าเทคโนโลยีของ  หน่วยความจำแบบใดที่เหมาะสมที่จะใช้กับ CPU 386 มากที่สุด ในที่สุดเทคโนโลยี หน่วยความจำที่ถูกคิดค้นขึ้นก็คือเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบ SIMM (Single In-line Memory   Module) ซึ่งหน่วยความจำแบบ SIMM นี้มีลักษณะเป็นแผงโมดูลที่ประกอบด้วยชิพ หลายๆตัว และต่อจากนั้นมาก็ได้มีการนำหน่วยความจำแบบ SIMM มาใช้แทนหน่วยความจำ แบบเก่าที่ติดตั้งชิพเป็นตัวๆบนเมนบอร์ด
        หน่วยความจำแบบSIMMจะมีออกมาหลายขนาดและหลายความเร็วซึ่งความเร็วของหน่วยความจำจะมีหน่วย เป็น ns หรือนาโนวินาที คุณสามารถสังเกตความเร็ว  ของหน่วยความจำได้จากชิพแต่ละตัวบนแผงโมดูลซึ่งจะมีเขียนบอกไว้ SIMM ที่นิยมใช้กันในขณะนั้นจะมีจำนวนขาอยู่ 30 พิน โดยจะมีทั้งแบบที่มีชิพบนแผง  โมดูลอยู่ 2 หรือ 3 ตัว และแบบที่มีชิพอยู่ 8 หรือ 9 ตัว ถ้ามี 8 ตัวจะเป็น Non Parity ถ้าเป็นหน่วยความจำที่มีชิพ อยู่ 3 ตัว หรือหน่วยความจำที่มีชิพอยู่ 9 ตัว จะเป็นหน่วยความจำที่มี Parity
    เมื่อได้มีการพัฒนาไปใช้ CPU 486 ที่มีบัส 32 บิต และ CPU Pentiumที่มีบัส 64 บิต ถ้าจะยังใช้ SIMM RAM 30 พิน ที่มีแบนด์วิดท์เพียง 16 บิต  จะเป็นการไม่เพียงพอจึงได้มีการพัฒนา SIMM RAM 72 พินออกมาโดยมีแบนด์วิดท์เป็น 2 เท่าของแบบ 30 พิน คือมีแบนด์วิดท์เป็น 32 บิต   SIMM RAMแบบ 72 พินนี้เหมาะกับ CPU ที่เป็น 32 บิตขึ้นไป อย่าง CPU 486 , Pentium , Pentium Pro และ Pentium 2 ซึ่งต่อมาได้มีการพัฒนา  หน่วยความจำแบบ EDO (Extended Data Out) ออกมาซึ่งมีความเร็วมากกว่าหน่วยความจำ FPM แบบเดิม
       เนื่องจาก SIMM 72 พินมีข้อจำกัดในการติดตั้งที่ต้องใส่เป็นคู่ไม่สามารถใส่แผงเดียวได้ ซึ่งทำให้การติดตั้งอาจจะกระทำได้ค่อนข้างลำบากเพราะต้อง ใส่หน่วยความจำในลักษณะเอียง 45 องศาก่อน แล้วจึงจะสามารถดันหน่วยความจำเข้าไปได้ ดังนั้นจึงมีการพัฒนาหน่วยความจำแบบใหม่ที่มีความเร็วมากกว่า EDO โดยให้ชื่อหน่วยความจำ  ชนิดนี้ว่า DIMM (Dual In-line Memory Module) ลักษณะของ DIMM ก็จะเป็นไปตามชื่อ กล่าวคือจะมีพินอยู่ทั้งสองด้านของโมดูลผิดกับหน่วยความจำแบบ SIMM ที่ถึงแม้จะมีจุดสัมผัสของพินทั้งสองด้านก็ตามแต่ทั้งสองด้านจะเป็นพินเดียวกันเช่นใน DIMM ซึ่งมีพิน 168 พิน แต่ละด้านจะมีพินอยู่ 84 พิน ส่วน SIMM  ซึ่งมี 72 พินแต่ละด้านก็จะมีพินอยู่ 72 พิน
       DIMM จะมีให้เลือกใช้หลายขนาดถ้าเป็น DIMM ที่ใช้กับเครื่อง Laptop  จะมีจำนวนพินอยู่ 72 พินคือมีพินด้านละ 36 พิน นอกจากนี้ยังมี DIMM ที่มี   144 พิน โดยมีพินด้านละ 72 พิน และ DIMM ที่มี 168 พินซึ่งใช้กับเครื่อง Desktop ที่เรารู้จักกันดี
       DIMM แบบ 168 พินจะมีขนาดความยาวกว่า SIMM 72 พินอยู่ 1 นิ้ว การติดตั้ง DIMM สามารถทำได้ง่ายและสะดวกกว่า SIMM เพราะการติกตั้ง  DIMM ไม่จำเป็นต้องเอียง 45 องศา แต่สามารถใส่ในแนวตรง 90 องศาได้เลย โดยในการใส่ต้องปลดขาล็อกทั้ง 2 ข้างออกก่อนแล้วจึงกดหน่วยความจำ DIMM ลงไป ในซ็อกเก็ต DIMM และล็อกด้วยขาทั้ง 2 ข้าง นอกจากนี้การจะอัพเกรด DIMM  ก็สามารถทำได้สะดวกเพราะสามารถใส่แผงเดียวก็ได้ไม่จำเป็นต้องใส่เป็นคู่  เหมือนใน SIMM
      หน่วยความจำแบบ DIMM มีใช้เฉพาะในเมนบอร์ดที่ใช้กับ CPU  Pentium,  Pentium Pro  และ Pentium 2 หน่วยความจำแบบ DIMM จะมีความเร็วมากกว่า   EDO อยู่เล็กน้อยเพราะหน่วยความจำแบบ DIMM มีความกว้างของทางเดินข้อมูล หรือแบนด์วิดท์ถึง 64 บิตซึ่งเท่ากับ CPU Pentium Pro และ Pentium 2

ขนาดความจุของ หน่วยความจำ
         หน่วยความจำที่มีจำหน่ายจะมีทั้งแบบ Single Side และ Double Side  หน่วยความจำแบบ Single Side หมายถึงหน่วยความจำที่มีชิพเพียงด้านเดียว ส่วนหน่วยความจำแบบ   Double Side เป็นหน่วยความจำที่มีชิพทั้ง 2 ด้าน
           ไม่ว่าจะเป็นหน่วยความจำแบบ SIMM หรือ DIMM จะมีวิธีการดูขนาดความจุของหน่วยความจำเหมือนกัน กล่าวคือเลขตัวแรกจะเป็นจำนวน MB ส่วนเลขตัวที่ตาม  มาหลังเครื่องหมายคูณเป็นเลขจำนวนบิตที่บ่งบอกว่าเป็นหน่วยความจำประเภทใดถ้า เป็นเลข 32 จะเป็น SIMM แต่ถ้าเป็น 64 จะเป็น DIMM ให้คุณนำเลขตัวหลัง หารด้วย 8 เพื่อทำให้เป็นไบต์ แล้วคูณกับเลขตัวแรกจะได้ขนาดความจุของ หน่วยความจำนั้นออกมา เช่น ถ้าเป็น 4 x 32 SIMM ก็จะหมายถึง  4 MB x (32/8) บิต   ซึ่งจะได้ 4 MB x 4 ไบต์ เท่ากับ 16 MB แสดงว่าเป็น SIMM ขนาด 16 MB   แต่ถ้าเป็น 4 x 64 DIMM ก็จะเป็น DIMM ที่มีขนาด 4MB x 8 ไบต์ เท่ากับ   32 MB 

หน่วยความจำที่ใช้กับเครื่อง

---

DRAM (Dynamic Random Access Memory)
       ถือเป็นหน่วยความจำชนิดแรกๆที่มีการผลิตกัน DRAM จะทำงานได้ช้าเพราะ DRAM ต้องมีการเขียนข้อมูลลงไปซ้ำหลายครั้งเพื่อรักษาข้อมูลภายในให้คงอยู่เราเรียกการเขียนข้อมูลลงไปซ้ำๆนี้ว่า การรีเฟรช(ชาร์จไฟใหม่) ข้อมูลจะต้องมีการ refresh ทุกครั้งที่มีการเคลื่อนย้ายกระบวนการเหล่านี้ใช้เวลาเพียงเสี้ยววินาที แต่ในขณะที่เกิดขึ้นนั้นระบบปฏิบัติการจะไม่สามารถอ่านหรือเขียนข้อมูลจากหน่วยความจำได้ซึ่งเราเรียกช่วงเวลานี้ว่า wait state ซึ่งหมายถึงช่วงเวลาที่โปรเซสเซอร์ไม่ได้ทำงานอะไร เนื่องจากต้องรอจนกว่าหน่วยความจำจะทำงานเสร็จ ถึงแม้ว่า DRAM จะเป็นหน่วยความจำที่ช้าแต่ก็มีผู้นำมาใช้เพราะมีราคาถูกถ้าเทียบกับหน่วยความจำชนิดอื่น 
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)
หน่วยความจำชนิดนี้ได้รับการพัฒนาขึ้นมาจาก DRAM แต่ก็ยังมีความเร็วไม่มาก เท่าใดนัก ก่อนที่ EDO DRAM จะเข้ามาหน่วยความจำชนิดนี้มีผู้นิยมใช้เป็นจำนวนมาก โดยแตกต่างจาก DRAM ที่การลดช่วงการหน่วงเวลาในขณะเข้าถึงข้อมูลลง ทำให้มัน มีความเร็วในการเข้าถึงข้อมูลสูงกว่า DRAM ปกติ โดยที่สัญญาณนาฬิกาปกติในการเข้าถึงข้อมูล จะเป็น 6-3-3-3 (เป็นอัตรา burst rate หมายถึง จำนวนรอบการทำงานของ CPU ที่ใช้ในการอ่านข้อมูล 4 bit ด้วยเงื่อนไขการอ่านข้อมูลที่เรียกว่า four-bit burst)( Latency เริ่มต้นที่ 3 clock พร้อมด้วย 3 clock สำหรับการเข้าถึง page ) และสำหรับระบบแบบ 32 bit จะมีอัตราการส่งถ่ายข้อมูลสูงสุด 100 MB ต่อวินาที ส่วนระบบแบบ 64 bit จะมีอัตราการส่งถ่ายข้อมูลสูงสุดที่ 200 MB ต่อวินาที
EDO DRAM (Extended Data Output DRAM)
  เป็นหน่วยความจำที่มีความเร็วในการทำงานสูงกว่า FPM DRAM 15% เพราะ EDO  สามารถติดต่อรับส่งข้อมูลที่เป็นคำสั่งหรือค่าต่างๆกับแคชภายใน CPU ได้ ทีละบล็อค ซึ่ง FPM DRAM จะทำได้ทีละไบต์เท่านั้น และ CPU สามารถเข้าถึงข้อมูลในขณะที่ DRAM ถูก refresh ได้ ซึ่งเท่ากับว่าไม่มี wait state  ทำให้ EDO สามารถเคลื่อนย้ายข้อมูลได้มากกว่า FPM ด้วยระยะเวลาที่เท่ากัน จึงทำ ให้ EDO ทำงานได้เร็วกว่า    EDO สามารถทำงานกับความเร็วบัส ได้ถึง 66 MHz และ 83.3 MHz ที่ Timing 5-2-2-2 และหากว่า chip EDO นี้ มีความเร็วที่สูงมากพอ ( มากกว่า 50ns ) มันก็สามารถใช้งานได้ ณ 100 MHz ที่ Timing 6-3-3-3 EDO จะทำงานได้ดีเมื่อใช้กับแคชที่เป็นแบบ Pipeline Burst อัตราการส่งถ่ายข้อมูลสูงสุดของ DRAM ชนิดนี้อยู่ที่ 264M ต่อวินาที
การทำงานของ EDO DRAM จะอ้างอิงตำแหน่งที่อ่านข้อมูลจากครั้งก่อนไว้ด้วย ปกติแล้วการดึงข้อมูลจาก RAM ณ ตำแหน่งใดๆ มักจะดึงข้อมูล ณ ตำแหน่งที่อยู่ใกล้ๆ จากการดึงก่อนหน้านี้ เพราะงั้น ถ้ามีการอ้างอิง ณ ตำแหน่งเก่าไว้ก่อน ก็จะทำให้ เสียเวลาในการเข้าถึงตำแหน่งน้อยลง และอีกทั้งมันยังลดช่วงเวลาของ CAS(สัญญาณกำหนดตำแหน่งหลัก-Column Assign Signal) latency ลงด้วย และด้วยความสามารถนี้ ทำให้การเข้าถึงข้อมูลดีขึ้นกว่าเดิม กว่า 40% เลยทีเดียว
SDRAM (Synchronous DRAM)
สามารถส่งถ่ายข้อมูลได้ทันทุกช่วงสัญญาณนาฬิกาของ CPU ซึ่งจะทำให้   CPU สามารถประมวลผลได้ทันทีโดยไม่ต้องคอยหน่วยความจำ SDRAM สนับสนุนความเร็วบัสได้ถึง 100 MHz หรือ มากกว่า และมี Access Time เพียง 10 ns SDRAM จะใช้สัญญาณนาฬิกาเป็นตัวกำหนดการทำงาน โดยจะใช้ความถี่ของสัญญาณเป็นตัวระบุ SDRAM จะทำงานตามสัญญาณนาฬิกาขาขึ้น เพื่อรอรับตำแหน่งที่ต้องการให้มันอ่าน แล้วจากนั้น มันก็จะไปค้นหาให้ และให้ผลลัพธ์ออกมา หลังจากได้รับตำแหน่งแล้ว เท่ากับ ค่า CAS เช่น CAS 2 ก็คือ หลังจากรับตำแหน่งที่จะอ่านแล้ว มันก็จะให้ผลลัพธ์ออกมา ภายใน 2 ลูกของสัญญาณนาฬิกา
SDRAM จะมี Timing เป็น 5-1-1-1 ซึ่งแน่นอน และมีอัตราการส่งถ่ายข้อมูลสูงสุดอยู่ที่ 528 M ต่อวินาที โดยใช้อินเตอร์เฟสแบบ DIMM 168 pin
Full Parity RAM
เป็นหน่วยความจำที่สามารถตรวจสอบความผิดพลาดในการอ่านและเขียนข้อมูล ถ้าพบว่ามีข้อมูลผิดพลาด ก็จะเกิดการหยุดทำงานของระบบ(system halt) ทำให้มีเสถียรภาพในการอ่านและเขียนข้อมูลดีที่สุด ราคาค่อนข้างสูง โดยจะมี ชิพเพิ่มจากเดิม 1 ตัว
Error Checking and Correction (ECC)
เป็น หน่วยความจำชนิดหนึ่งราคาค่อนข้างสูง เพราะมันมีความสามารถตรวจเช็คความผิดพลาดของข้อมูลพร้อมทั้งแก้ไข bit ที่ผิดพลาดให้ด้วย โดยไม่ทำให้ระบบหยุดทำงาน(system halt) สังเกตโดยมีชิพตัวเล็กๆที่อยู่ริมขอบด้านหนึ่งของหน่วยความจำ RAM ได้ มักจะใช้ในเครื่องระดับ SERVER หรือเครื่อง Hi-End ต่างๆ

หน่วยความจำรุ่นใหม่

---

DDR SDRAM (SDRAM II) 
   เป็น SDRAM รุ่นใหม่ โดยการทำงานของ DDR SDRAM นั้นจะใช้การส่งข้อมูลผ่านสัญญาณขาขึ้น และ ขาลง ของสัญญาณนาฬิกา แทนแบบเดิมที่ส่งข้อมูลผ่านสัญญาณขาขึ้นเท่านั้น ทำให้อัตราส่งถ่ายเพิ่มเป็น 2 เท่า คือที่มาของชื่อ DDR (Double Data Rate) นั่นเอง คล้ายๆกับ การทำงานในโหมด 2X ของ AGP มีอัตราส่งถ่ายข้อมูลสูงสุดถึง 1 G ต่อวินาที และมี Access Time เพียง 7.5 ns ปัจจุบันมีการนำมาใช้กับ CPU Athlon,Duronของ AMD โดยมีจำหน่ายรุ่น PC1600(เทียบเท่า SDRAM PC-100) , PC2100(เทียบเท่า SDRAM PC-133) PC2400(เทียบเท่า SDRAM PC-150) และ PC2700(เทียบเท่า SDRAM PC-166) ขนาด 184 pin ทำงานที่ความถี่ 266 - 300MHz
SLDRAM  
    ใน SLDRAM จะใช้สถาปัตยกรรม Super Pipelined ลดไซเคิลการ ทำงานบางอย่างที่ทำให้ความเร็วลดลงออกไปด้วยความเร็วของ SLDRAM ทำให้สามารถทำงานได้ทันกับความเร็วบัส อีกทั้งพลังงานต่ำและมีระบบ ประหยัดพลังงานภายในอีกด้วย 
ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)
    ได้รับการคิดค้นโดยบริษัท EMSI โดยมีบริษัทที่เป็นสมาชิกในกลุ่มคือ บริษัท IBM, Digital และ VLSI ซึ่งจะนำไปใช้กับเครื่อง Alpha ของ Digital โดยประสิทธิภาพความเร็วที่ ESDRAM มีมากกว่าหน่วยความจำทั่วไป เกิดจากการนำ Row Register Cache เข้าไปรวมไว้ในชิพซื่งทำให้เพจข้อมูลของ ESDRAM สามารถเปิดได้คราวละ 2 เพจ ในขณะที่หน่วยความจำทั่วไปจะเปิดได้ครั้งละเพจเดียว เท่านั้น 
RDRAM (Direct Rambus RAM)
ได้รับการคิดค้นและพัฒนาโดยบริษัท Rambus เป็น หน่วยความจำแบบ RIMM 184 pin(168 pin?) เป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำที่มีความเร็วสูงมาก มีอัตราการส่งถ่ายข้อมูลสูงสุดถึง 1.6 G ต่อวินาทีต่อ 1 ช่องสัญญาณ โดยใช้ Rumble Channel ความเร็ว 533 MB/s - 2 GB/s ที่ความถี่ 533-800 MHz และสนับสนุนความเร็วบัส 267 MHz ซึ่งทำให้ RDRAM สามารถติดต่อรับส่งข้อมูลได้เร็วทันกับซีพียูที่มีบัส 133 MHz โดยไม่ต้องเสียเวลารอแบบหน่วยความจำรุ่นเก่า ใช้กระแสไฟฟ้า 2.5 V ปัจจุบันมีการนำมาใช้กับ CPU ของ Intel Pentium4 โดยมีจำหน่ายรุ่น PC600 และรุ่น PC800 ขนาด 184 pin
RDRAM มีความแตกต่างจาก DRAM ทั่วไป รวมทั้ง SDRAM หลายๆด้านที่เด่นชัดที่สุด คือ RDRAM ใช้อินเตอร์เฟสระหว่างตนเองกับ Controller ขนาดเพียงแค่ 8 บิตแต่ด้วยความเร็วในระดับสูง (250MHz) ถึงแม้ว่า DRAM ส่วนใหญ่จะใช้อินเตอร์เฟสขนาด 16 หรือ 32 บิต (และรวมเอา DRAM ขนาด 16 บิต 4 ตัว  หรือขนาด 32 บิต 2 ตัว ในการสร้างเส้นทางขนาด 64 บิตไปยังโปรเซสเซอร์)   แต่จะพบว่า DRAM เหล่านี้ไม่สามารถรันได้รวดเร็วเท่า RDRAM
NVRAM (Nonvolatile RAM)
คือ Ram ชนิดพิเศษที่สามารถเก็บข้อมูลเอาไว้ได้ถึงแม้ว่าจะปิดเครื่องคอมพิวเตอร์ไปแล้ว โดยข้อมูลทั้งหมดจะถูกเก็บใน EEPROM เช่น ESCD ใน mainboard

หน่วยความจำที่ใช้กับการ์ดแสดงผล

---

VRAM (Video RAM)
มีหลักการทำงานคือสามารถแสดงผลบนจอคอมพิวเตอร์ ได้พร้อมๆกับการประมวลผลคำสั่งในโปรเซสเซอร์ของการ์ดแสดงผลทำให้การแสดงผลสามารถทำได้ราบรื่น โดยการเพิ่ม serial port พิเศษขึ้นมาอีก 1 หรือ 2 port โดยที่ serial port ที่เพิ่มขึ้นมา จะใช้ในการส่งข้อมูลภาพ ออกสู่ display ส่วน parallel port ซึ่งเป็น standard interface ของมัน จะถูกใช้ในการติดต่อกับ host processor เพื่อสั่งการให้ทำการ refresh ภาพขึ้นมาใหม่
WRAM (Window RAM)
สามารถรับข้อมูลเข้ามาและส่งออกไปได้ในเวลาเดียวกัน สามารถรองรับ Bandwith ที่สูงกว่า อีกทั้งยังใช้ระบบ Double-Buffer ทำให้   WRAM มีความสามารถในการทำงานสูงกว่า VRAM พัฒนาโดย Matrox
SGRAM (Synchronus Graphic RAM)
มีความเร็วในการทำงานสูงพอๆกับ SDRAM แต่ SGRAM  จะใช้สำหรับการ์ดแสดงผล โดยแตกต่างจาก SDRAM ที่ฟังก์ชั่นซึ่งใช้โดย Page Register ซึ่ง SGRAM สามารถทำการเขียนข้อมูลได้หลายๆตำแหน่ง ในสัญญาณนาฬิกาเดียว ทำให้มีความเร็วในการแสดงผลสูงมาก และClear หน้าจอได้เร็วมาก และ ยังสามารถเขียนเพียงแค่บาง bit ใน word ได้ ( คือไม่ต้องเขียนข้อมูลใหม่ทั้งหมด เขียนเพียงแค่ข้อมูลที่เปลี่ยนแปลงเท่านั้น ) โดยใช้ bit mask ในการเลือก bit ที่จะเขียนใหม่
MDRAM (Multibank Dynamic RAM)
เป็นหน่วยความจำที่ใช้กับการ์ดแสดงผลที่มีความเร็วในการทำงานสูง มาก สามารถส่งถ่ายข้อมูลได้เป็นกิกะไบต์ต่อวินาที

หน่วยความจำที่ใช้กับแคช

---

CACHE คือ หน่วยความจำขนาดเล็กที่มีความเร็วสูงซึ่งเก็บข้อมูล หรือคำสั่งที่ถูกเรียกใช้หรือเรียกใช้บ่อยๆ ข้อมูลและคำสั่งที่เก็บอยู่ใน CACHEซึ่งทำงานโดยใช้ SRAM (STATIC RAM) ซึ่งจะต่างจาก DRAM คือ จะrefresh ก็ต่อเมื่อ เราสั่งให้มัน refresh เท่านั้น ข้อมูลที่เก็บไว้ใน CACHE จะถูกดึงไปใช้งานได้เร็วกว่าการดึงข้อมูลจากหน่วยความจำหลัก (MAIN MEMORY) ซึ่งใช้DRAM (DYNAMIC RAM )หลายเท่าตัว

การทำงานของ CACHE เป็นขั้นตอนดังนี้

1. โปรแกรมที่ทำงานโดยผ่านหน่วยประมวลผลกลาง (CPU) ได้ทำการเรียกข้อมูลหรือรหัสที่ CPU จำเป็นต้องใช้
2. RAM cache ซึ่งเป็นส่วนหนึ่งของวงจรหลักในเครื่องคอมพิวเตอร์ ได้รับสัญญานการเรียกข้อมูลในขณะที่คำสั่งการเรียกข้อมูลกำลังเดินทางไปยัง RAM และ cache จะทำการค้นหาข้อมูลจากRAM และส่งต่อข้อมูลไปยัง CPU ในการค้นหาข้อมูลครั้งแรกอาจจะใช้เวลานานโดยที่ตัว CPU ไม่สามารถทำงานอย่างอื่นได้ในเวลานั้น
3. ในขั้นตอนการค้นหาข้อมูลนี้ cache จะทำการบันทึกข้อมูลที่ค้นพบไว้ใน high-speed memory chips ที่มีเฉพาะภายใน cache
4. ในทันที่ cache ตรวจสอบพบว่า CPU ได้ทำงานเสร็จสิ้นและกำลังว่างอยู่ cache จะทำการค้นหาข้อมูลหรือรหัสของโปรแกรม ซึ่งอยู่ใกล้เคียงกับตำแหน่งของข้อมูลที่ทางโปรแกรมได้เรียกใช้ก่อนหน้านี้จาก memory address และจัดเก็บข้อมูลไว้ใน high-speed memory chips
5. ครั้งต่อไปที่ทางโปรแกรมถามหาข้อมูลจากทางหน่วยประมวลผลกลาง(CPU) cacheจะตรวจสอบดูว่าข้อมูลที่โปรแกรมต้องการมีอยู่ใน high-speed memory chips แล้วหรือยัง ถ้ามีอยู่แล้ว cache จะส่งข้อมูลไปให้ CPUได้โดยไม่จำเป็นต้องผ่านหน่วยความจำหลักซึ่งมีการทำงานที่ช้ากว่ามาก ทำให้ CPU สามารถลดเวลาไร้ประสิทธิภาพ และทำงานได้มากขึ้น
6. เมื่อ CPU ต้องการเปลี่ยนข้อมูลบางอย่างที่มีอยู่ในหน่วยความจำหลักอยู่แล้ว cache จะตรวจสอบดูก่อนว่าข้อมูลที่โปรแกรมต้องการจะเปลี่ยน มีการจัดเก็บอยู่ใน high-speed memory chips แล้วหรือยัง ถ้ามีอยู่แล้ว cache จะเปรียบเทียบข้อมูลที่มีอยู่เดิมกับข้อมูลใหม่ที่เปลี่ยนไป และจะส่งข้อมูลไปเฉพาะ memory address ใน หน่วยความจำหลัก ที่มีการเปลี่ยนแปลงข้อมูลจากข้อมูลเดิมใน high-speed memory chips ซึ่งจะเร็วกว่าการเปลี่ยนแปลงข้อมูลทั้งหมด

ตัวอย่างการทำงานของ CACHE

เมื่อหน่วยประมวลผล(CPU)ทำการอ่านข้อมูล มันจะตรวจสอบว่าข้อมูลที่ต้องการเรียกใช้นั้นมีอยู่ใน CACHE หรือไม่ ถ้ามี ข้อมูลก็จะถูกถ่ายทอดไปยังหน่วยประมวลผลอย่างรวดเร็ว เพราะไม่ต้องเรียกข้อมูลจากหน่วยความจำหลัก(DRAM หรือ RAM)ซึ่งจะใช้เวลานาน แต่ถ้าตรวจสอบแล้วไม่มีข้อมูลอยู่ใน CACHE หน่วยประมวลผลจะดึงข้อมูลจาก(DRAM หรือ RAM) จากนั้นจะทำสำเนาและเก็บข้อมูลไว้ใน CACHE ด้วย ถ้ามีการเรียกใช้ข้อมูลนี้อีก ข้อมูลจะถูกดึงจาก CACHE เมื่อต้องการเรียกใช้ข้อมูลที่มีอยู่ใน CACHE จะเรียกว่า HIT ประสิทธิภาพการทำงานของ CACHE ขึ้นอยู่กับอัตราการพบข้อมูล(HIT RATE) CACHEที่ดีคือ CACHEที่จำข้อมูลที่ถูกเรียกใช้บ่อยได้ดี
บนบอร์ด 100 MHz ของ Intel ต้องใช้เวลาถึง 180 Nanosec เพื่อนำข้อมูลจากหน่วยความจำหลัก ในขณะที่ใช้เพียง 45 Nanosec ในการนำข้อมูลจาก CACHE ด้วยประสิทธิภาพที่ไม่น่าเชื่อของ CACHE ทำให้น่าจะใช้ CACHE มาเป็นหน่วยความจำหลักแทน แต่หน่วยความจำของ CACHE ใช้SRAM ซึ่งมีราคาสูงกว่า DRAM ที่ใช้ในหน่วยความจำหลัก ถึงประมาณ6เท่า ฉะนั้นทำให้การใช้ CACHE แทนหน่วยความจำหลักนั้นไม่คุ้มค่าเพราะทำให้สิ้นเปลืองสูง โดยอาจจะเปรียบเทียบได้กับ การลงทุนทำร้านขายของชำเพื่อที่จะเก็บสินค้าทุกประเภท ซึ่งเป็นการลงทุนที่ไม่คุ้มค่า

ชนิดของ CACHE แบ่งเป็น 2 ชนิดดังนี้

-Level 1 (L1 CACHE) คือ CACHEที่สร้างลงบนchipCPU หรือเรียกอีกอย่างว่าinternal CACHE มีขนาดเล็ก อย่างเช่น ขนาด 8k สำหรับ chip 486, เพนเทียมและ เพนเทียมโปรมีอยู่ 16k ส่วนเพนเทียม MMX และเพนเทียม II มี CACHE L1ขนาด 32k
-Level 2 (L2 CACHE) คือ CACHEที่อยู่ระหว่างCPU กับ DRAM หรือเรียกอีกอย่างว่า external CACHE แต่มีขนาดใหญ่กว่า CACHE ชนิด L1 มาก แต่ในปัจจุบันมี CACHE L2 ของคอมพิวเตอร์บางรุ่นอยู่บน Chip CPU เช่น Chip ของ intel Pentium IIเป็นต้น

เทคโนโลยีและการพัฒนา CACHE

CACHE L2 256k สามารถประหยัดเวลาในการทำงานของคอมพิวเตอร์เป็นจำนวนมากในการเก็บข้อมูลที่ใช้เป็นประจำ และการเพิ่ม CACHE L2 อีก 256k เป็น 512k จะช่วยในการเก็บข้อมูลของ CACHE L2 ได้มากขึ้น ปัจจุบันมี CACHE L2 ขนาด 1M ซึ่งใช้กับเพนเทียมโปรและในอนาคตจะมี CACHE L2 ขนาด 1Mและ 2M สำหรับเพนเทียมทู ออกมาซึ่งเป็นการพัฒนาของ CACHE L2อีกขั้นหนึ่งด้วย
สำหรับ CACHE L1 นั้น ได้มีแผนการพัฒนาโดยจะขยายขนาดขึ้น คาดว่าจะออกสู่ตลาดภายในปลายปี2541นี้ และจะมีการผลิต CACHE L3 โดยทางบริษัท AMD คาดว่าจะนำเข้าสู่ตลาดภายในปลายปี2541 หรือต้นปี2542 ซึ่งCACHE L3 จะเป็น external cache และย้าย CACHE L2 เข้าไปอยู่ใน CPU โดยจะออกมากับชิป AMD K6+ 3D หรือ AMD K7

 

A SRAM(Asynchronous Static RAM)
ถูกนำมาใช้เป็น cache ตั้งแต่ CPU 80386 มีความเร็วในการเข้าถึงข้อมูลรวดเร็วกว่า DRAM และราคาแพงกว่า ที่นิยมใช้กันมีอยู่ 3 รุ่น แบ่งตามอัตราความเร็วในการเข้าถึงข้อมูล มี 20, 15, 12 นาโนวินาที(ns) แต่ไม่สามารถที่จะทำงานที่ความเร็วเท่าๆกับความเร็วของ CPU ทำให้ CPU ต้องเสียเวลาคอยข้อมูล(Wait State)จาก SRAM
S SRAM(Synchronous Burst Static RAM)
มีคุณสมบัติ Burst คือ ใช้สัญญาณนาฬิกาในการทำงานให้น้อยที่สุด โดยใช้สัญญาณนาฬิกาของตัวสแตติกหน่วยความจำเอง ในการอ่านข้อมูลที่ต่อเนื่องกัน สามารถรองรับความเร็วของสัญญาณนาฬิกาของระบบบัส 66 MHz ไม่ต้องเสียเวลาคอยข้อมูล(Wait State) ในท้องตลาดมีอยู่ 2 รุ่นคือ 8.5 และ 12 นาโนวินาที(ns) เหมาะกับ เมนบอร์ดเพนเทียม
PB SRAM(Pipelined Burst Static RAM)
มีหน่วยความจำรีจิสเตอร์พิเศษอยู่ในชิปหน่วยความจำ ช่วยให้สามารถที่จะโอนข้อมูลพร้อมๆกับการระบุตำแหน่งและ อ้างถึงข้อมูลในสแตติกหน่วยความจำตำแหน่งต่อไป สามารถรองรับความเร็วของสัญญาณนาฬิกาที่สูงสุด 133 MHz ในท้องตลาดมีอยู่ 2 รุ่นคือ 4.5 และ 8 นาโนวินาที(ns) เหมาะกับระบบใหม่ที่มีความเร็วของสัญญาณนาฬิกา 75 - 100 MHz
ศัพท์เทคนิคเพิ่มเติมเกี่ยวกับCACHE
AsynchronousSRAM - SRAM ที่ไม่ใช้ระบบสัญญาณนาฬิกา(clock signal)ในการควบคุมสัญญาณ โดยจะมีราคาต่ำกว่าsynchronous SRAM ประมาณ30% ซึ่งรวมทั้ง ประสิทธิภาพก็จะต่ำกว่าด้วย
Burst -เป็นsynchronous cache อีกประเภทหนึ่ง มีความเร็วมากกว่า asynchronous cacheประมาณ 30-50% โดยที่ราคาจะสูงกว่า asynchronous cache ประมาณ 50%
Cache controller -เป็นวงจรที่ทำงานภายใต้การทำงานของ CPU cache และ DRAM
Cache miss --การที่ข้อมูลที่ CPUเรียกใช้หาไม่พบใน cache
CELP socket - เป็นประเภทของsocketที่นิยมใช้กับcache
COAST - ย่อมาจาก cache on a stick เป็น cache ที่นิยมใช้กัน
Direct-mapped cache - เนื้อที่ใน cache ที่จัดเก็บ ข้อมูลแต่ละข้อมูล โดยมีตำแหน่งที่แน่นอน
Full-associative cache -การที่ cache รับรู้ที่อยู่ของหน่วยความจำหลักทุกตัว
Index -เป็นส่วนหนึ่งของCPU address bitsที่ใช้เพื่อหาตำแหน่งของข้อมูลที่ถูกจัดเก็บไว้ใน cache
Pipeline burst -synchronous cacheเป็น CACHE ชนิดหนึ่งมีราคาถูกกว่า burst แต่มีคุณสมบัติเหมือนกัน
Primary cache -L1 Cache อยู่ภายใน CPU
Secondary cache -L2 Cache อยู่ภายนอก CPU
Set-associativity -จำนวนของตำแหน่งที่อยู่ในหนึ่ง main memory address ที่สามารถใส่ลงไปใน cache
Synchronous SRAM - SRAM ที่ใช้ระบบสัญญาณนาฬิกา(clock signal)ในการควบคุมสัญญาณ ซึ่งทำให้หน่วยความจำของ cache สามารถทำงานกับ CPU เป็นขั้นตอนที่แน่นอน โดยอาจเป็นได้ทั้ง Burst หรือ Pipeline Burst
Tag -เป็นองค์ประกอบของ CPU address bits ซึ่งใช้สำหรับเปรียบเทียบ tag bits ของ cache directory กับ main memory address
Tag RAM -โดยปกติ cache จะแบ่งเป็นสองส่วนใหญ่ๆ คือ Tag RAM และData RAM โดย Tag RAM จะเก็บ Tag address ของตำแหน่งของข้อมูลใน cache ซึ่งจะมีขนาดเล็กกว่า ส่วน Data RAMซึ่งใช้เก็บข้อมูลและคำสั่ง
Write Back (copy back) -การที่ CPU บันทึกข้อมูลที่ถูกเรียกใช้ ลงใน cache
Write Through -เทคนิคการเขียนข้อมูลจาก CPU ลงไปใน cache และหน่วยข้อมูลหลักพร้อมกันเพื่อความมั่นใจในความต่อเนื่องของข้อมูล

หน่วยความจำที่ใช้กับBIOS

---

ROM(Read Only Memory)
คือหน่วยความจำที่สามารถอ่านข้อมูลได้อย่างเดียว ไม่สามารถบันทึกข้อมูลได้ง่ายๆ ต้องใช้วิธีพิเศษที่ขึ้นอยู่กับชนิดของ ROM สามารถเก็บข้อมูลได้โดยไม่ต้องใช้ไฟเลี้ยงวงจร จะทำงานได้ช้ากว่า RAM ในการ setup BIOS จึงยังคงใช้วิธี Shadow RAM โดยจำลองข้อมูลใน ROM ไปเก็บไว้ใน RAM เพื่อเพิ่มความเร็วของระบบ
PROM(Programable ROM) เป็น ROM ที่ยอมให้ผู้ใช้สามารถบันทึกข้อมูลได้โดยใช้วิธี burning in โดยเครื่อง PROM Programmer จะเขียนข้อมูลโดยการส่งกระแสไฟฟ้าแรงสูง มีอินพุท เพียง 8 อินพุท หรือน้อยกว่า เป็นคำตอบโลจิคแบบสากล PROM ทางด้านอินพุท AND Array คงที่ และทางด้านเอาท์พุท สามารถโปรแกรม OR Array ได้
EPROM(Erasable PROM) เป็น PROM ที่สามารถลบได้ ผลิตจาก MOSFET ข้อมูลสามารถถูกลบได้โดยแสง UV(UltraViolet) เมื่อแสง UV กระทบ EPROM จะคายประจุทั้งหมด
Flash ROM หรือ EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) เป็น EPROM ที่ลบข้อมูลได้โดยใช้กระแสไฟฟ้าธรรมดา เป็นส่วนประกอบของ BIOS ที่ใช้กันในปัจจุบันนี้ มีบรรจุในตัวถัง 2 ประเภทคือ
DIP(Dual In-Line Package) 32 ขา มีขาอยู่ 2ด้านของตัวถัง ตัวถังเป็นรูปสี่เหลี่ยมผืนผ้า มีขนาดใหญ่ mainboard ส่วนใหญ่จะใช้แบบนี้
PLCC(Plastic Leadless Chip Carrier) 32 ขา มีขารอบตัวถัง จะมีขนาดเล็กกว่า นิยมใช้ใน mainboard ใหม่ๆเช่น Abit BH6